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發(fā)布日期:3/18/2026 2:47:00 PM

   產(chǎn)品名稱   

 規(guī)格

   碳酸氫鈉 

   優(yōu)級純GR   

 

一、基本信息

產(chǎn)品名稱:碳酸氫鈉

英文名稱:Sodium Bicarbonate

化學式:NaHCO3

分子量:84.01

CAS號:144-55-8

碳酸氫鈉是一種白色結晶性粉末或細小晶體,無臭、味咸,易溶于水,微溶于乙醇,在常溫常壓下性質穩(wěn)定,但在受熱至50°C以上時開始緩慢分解,100°C以上迅速分解生成碳酸鈉(Na2CO2)、二氧化碳(CO2)和水(H20)。該化合物屬于弱堿性鹽類,其水溶液呈弱堿性,pH值約為8.3(0.1mo1/L溶液,25°C),具備良好的緩沖性能,廣泛應用于食品、醫(yī)藥、化工、消防、環(huán)保及日化等多個領域。

 

二、碳酸氫鈉在半導體行業(yè)中的應用

碳酸氫鈉試劑在半導體行業(yè)中的具體應用主要利用了碳酸氫鈉的弱堿性、緩沖能力以及高純度特性,在半導體制造過程中起到清洗、拋光、pH調節(jié)等關鍵作用。

 

1. 半導體晶圓清洗與中和

(1)堿性清洗 / 顆粒去除

配制弱堿性清洗液,用于 RCA 清洗、兆聲 / 超聲清洗,去除硅片表面的顆粒、有機殘留、輕微金屬沾污。

作用:溫和堿性環(huán)境剝離顆粒,避免強堿(如 NaOH)對硅片的過度腐蝕。

優(yōu)勢:高純度碳酸氫鈉試劑可嚴格控制 Na?、K?、Fe、Cu 等金屬雜質,防止引入新沾污。

(2)酸性工藝后的溫和中和

用于 HF、H?SO?、HCl 等酸性刻蝕 / 清洗后的中和與漂洗,快速穩(wěn)定 pH,防止酸殘留導致的后續(xù)腐蝕或界面缺陷。

(3)CMP 后清洗

化學機械拋光(CMP)后,用于去除拋光漿料殘留、金屬離子與有機污染物,配合表面活性劑與螯合劑使用。

 

2. 化學機械拋光中的添加劑

碳酸氫鈉還可用于某些半導體晶片精密化學機械拋光劑中。拋光劑配方通常包含碳酸氫鈉、碳酸鈉等成分,用于砷化鎵、磷化銦、磷化鎵等不同種類半導體晶片的化學機械拋光,以獲取晶格完整的表面。

 

3、實驗室分析與工藝研發(fā)

標準溶液配制:用于配制ICP-MS(電感耦合等離子體質譜儀)或其他痕量分析儀器的校準標準液,服務于半導體材料與工藝的痕量雜質檢測。

緩沖溶液制備:在研發(fā)新型清洗液或CMP漿料時,需要精確控制pH值。優(yōu)級純碳酸氫鈉與碳酸鈉配合,可配制高精度的碳酸鹽緩沖體系。

 

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